（全媒体记者张兮）1月10日，记者从市科技局获悉，三安光电以“高光效长寿命半导体照明关键技术与产业化”项目，与中科院等联袂荣获国家科学技术进步奖一等奖。
国家科学技术奖是我国科学技术领域的最高奖，分为国家最高科学技术奖、国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科学技术进步奖和中华人民共和国国际科学技术合作奖五个奖项，每年评审一次，每年授奖总数不超过300项。
据了解，此次三安光电与中科院半导体研究所，通过共同承担国家科研任务、签署技术合作协议等方式开展密切合作，攻关半导体照明产品光电转化效率、长期工作可靠性等核心技术难题。最终，项目从半导体照明材料、芯片、封装、模组与应用全链条形成了具有自主知识产权的高光效长寿命半导体照明全套技术，实现了国内产业龙头企业芯片技术产业化与核心器件国产化。
项目成果包括P型氮化物掺杂与量子阱结构设计、微纳图形化衬底及成核技术、新型缓冲层的高质量氮化物外延技术、激光诱导光提取技术等多项外延芯片技术率先在三安光电进行推广与量产。这些成果促进了三安光电外延芯片的技术发展，使得我国半导体照明芯片由完全依赖进口到自主可控全面国产化，实现了替代进口。
2019年4月24日，LED芯片龙头企业三安光电与葛店开发区管委会签订项目投资合同。7月29日，三安光电在葛店开发区举行Mini/Micro LED显示芯片产业化项目开工仪式。
该项目作为全球首个大规模基于第三代半导体、代表新型显示产业方向的光电芯片项目，总投资120亿元，占地约756亩，总建筑面积达47.77万平方米。项目将建成Mini/Micro LED氮化镓芯片、Mini/Micro LED砷化镓芯片、4K显示屏用封装三大产品系列的研发基地。项目建成后，预计氮化镓芯片年产161万片、砷化镓芯片系列年产75万片、4K显示屏用封装产品年产84000台。产品主要供应三星、华为、苹果等全球知名公司，预计年实现销售收入72亿元、利润总额17.84亿元、税收9.3亿元。
目前，三安光电在我市的Mini/Micro LED显示芯片产业化项目建设进展顺利。
